Qualcomm Technologies ve Samsung Electronics, uzun yıllardır süren stratejik iş birliklerini genişlettiklerini duyurdu. Bu işbirliği çerçevesinde, Qualcomm Snapdragon 835 birinci sınıf mobil işlemciler, Samsung’un 10 nanometre (nm) FinFET işlemci teknolojisi ile üretilecek.
Samsung Electronics Çip Biriminden Sorumlu Kıdemli Başkan Yardımcısı Jong Shik Yoon, “Bu iş birliğinin Samsung’un lider çip işlemci teknolojisine olan güveni temsil ettiği için önemli bir mihenk taşı olduğunu düşünüyoruz” dedi.
Qualcomm Technologies Ürün Yönetiminden Sorumlu Kıdemli Başkan Yardımcısı Keith Kressin, ” Yeni 10nm işlem düğümünü kullanarak, birinci kademedeki Snapdragon 835 işlemcimizin daha az enerji harcamasını, performansını artırmasını ve bizim de yarının mobil cihazlarında kullanıcı deneyimini iyileştirebilecek bir dizi yeni özellik eklememize olanak tanımasını bekliyoruz” dedi.
Samsung ilk 10nm FinFET üretimine başladı
Ekim ayında Samsung, sektörde 10nm FinFET teknolojisinin seri üretimine başlayan ilk firma olduğunu duyurmuştu. Önceki nesil 14nm FinFET’e kıyasla Samsung’un 10nm teknolojisi, yüzde 27 daha yüksek performans ve yüzde 40’a kadar daha düşük güç tüketiminin yanı sıra kapladığı alan verimliliğinde yüzde 30’a kadar artışa olanak tanıyor. Snapdragon 835 işlemci, 10nm FinFET’i kullanarak daha küçük bir çip ayak izi sunacak. Böylece daha büyük pilleri veya daha ince tasarımları destekleyecek şekilde gelecekteki ürünlerin içinde üreticilere (OEM) daha fazla kullanılabilir alan sunmuş olacak. İşlem iyileştirmeleri ile birlikte daha gelişmiş bir çip tasarımı sayesinde pil ömründe önemli gelişmelerin olması bekleniyor.
Snapdragon 835, şu anda üretimde ve 2017’nin ilk yarısında ticari cihazlar için dağıtımına başlanması hedefleniyor. Snapdragon 835, geliştirilme sürecinde 200’ün üzerinde tasarımı olan Snapdragon 820/21 işlemcisinin ardından geliyor.
