Samsung’un yeni DRAM Çözümü TSV teknolojisinin, ana akım yüksek kapasiteli bellek uygulamalarına doğru yol aldığının sinyalini veriyor.
Samsung Electronics, kurumsal sunucular ve veri merkezleri için 128GB modüllerdeki ve sektörün ilk TSV (Through Silicon Via) çift veri hızlı 4. Nesil (DDR4) belleğinin seri üretimine başladığını duyurdu.
2014 yılında, dünyanın ilk 3B TSV DDR4 DRAM (64 GB) ürününü piyasaya sunan Samsung, bu yeni TSV tescilli çift taraflı bellek modülü (RDIMM) ile kurumsal seviyede ultra yüksek kapasiteli belleğe kapı aralayan bir başka önemli buluşa da imza atmış oldu.
Varolan DRAM modülleri arasında en yüksek kapasite ve verimliliğe sahip Samsung’un yeni TSV DRAM modülü; yüksek çalışma hızının yanı sıra mükemmel bir güvenilirlik de sergiliyor.
Samsung Electronics Bellek Satış ve Pazarlama Başkan Vekili Joo Sun Choi, konuyla ilgili olarak şu yorumu yaptı: “Yüksek hızlı ve düşük enerjili 128 GB TSV DRAM modülümüzün seri üretimiyle, BT müşterilerimiz ile iş ortaklarımızın yatırımlarında, ciddi bir verimlilik ve ölçeklendirilebilirliğe sahip yeni nesil kurumsal çözümler sunmaya başlamasına olanak tanıyacak olmaktan dolayı çok mutluyuz. Tüketici elektroniği ve gelişmekte olan pazarlardaki küresel liderlerle olan teknik işbirliğimizi; tüketicilerin üretkenliklerini ve kullanıcı deneyimini yukarılara taşıyacak yenilikçi teknolojilerden fayda sağlayabileceği sunucular tarafında genişletmeye devam edeceğiz.”
Samsung sunduğu yüksek performans ile TSV DRAM alanındaki liderliğini sürdürüyor
128 GB TSV DDR4 RDIMM, her biri en gelişmiş TSV ambalajlama teknolojisiyle bir araya getirilmiş dört adet 20 nanometre (nm) tabanlı 8 gigabit (Gb) çip içeren 36 adet 4 GB DRAM paketine yerleştirilmiş toplamda 144 DDR4 çipten oluşuyor.
Endüstrinin en yüksek kapasitesinden ve TSV’nin gelişmiş devre sisteminden yararlanan Samsung 128 GB TSV DDR4 modülünün, her bir 4 GB’lık paketinin ana çipinin modül performansını ve güç tüketimini optimize etmek için veri tamponu işlevine sahip özel bir tasarımı bulunuyor.
Samsung, pazarda TSV teknolojisi üretimini hızlandırarak ve üretimde üretkenliğini artırmak adına 20 nm 8 Gb DRAM çipleri yükselterek ultra yüksek kapasiteli DRAM için artan talebe yanıt veriyor.
Teknoloji liderliğini sağlamlaştırmak ve birinci sınıf bellek çözümleri pazarını genişletmek için Samsung, kısa vadede 128 GB yükü azaltılmış DIMM’ler (LRDIMM’ler) dâhil olmak üzere yüksek performanslı TSV DRAM modüllerinin yenive eksiksiz bir serisini sunmayı planlıyor.
Samsung, TSV DRAM konusundaki liderliğini, sunacağı daha yüksek performanslar ile sürdürmeye hazırlanıyor. Samsung’un bu alanda yürüttüğü çalışmalar arasında; TSV uygulamalarını yüksek bant genişlikli bellek (HBM) ile tüketici ürünlerine yoğunlaşan kurumsal sunucu ihtiyaçlarını karşılayan ve veri transferinde de hızları 2.667 Mbps ve 3.200 Mbps’ye kadar çıkan modüller bulunuyor.
